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| 英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25－150V OptiMOS源極底置功率MOSFET |
| 來源：中電網 |
發布時間：2023-01-14 |
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| 英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案，同時也為服務器、通信、OR-ing、電池保護、電動工具以及充電器應用的系統創新開辟了新的可能性。 |
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